凸點式載盤的優點：

       (1)提升晶片各微小局部區域之均質性

       (2)縮小同一載盤內各晶片之間的製程結果差異性(wafer to wafer)

       (3)碳化矽計劃不必再送回修整。凸點式載盤壽命是習用挖穴式載盤的四倍，價格卻只要兩倍。

       (4)習用挖槽式盤因受外圍四周穴牆的影響刻蝕碎屑易堆積於牆角不易排除，刻蝕均勻性差。

            然而使用凸點式載盤則刻蝕碎屑較不易堆積，晶片外圍良品比率高於挖穴式載盤。

精心工藝     通過多項可靠度測試

        經過高溫400 ℃ 至1,000℃往覆10次的試驗，小凸點依然穩固。

        由於ICP製程溫度在相對低溫，因此承受3,000 run次以上是沒有問題。

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