> A）用CVD-SiC薄膜塗覆的石墨晶舟
石墨容易加工，可從一個塊材經過各種精密加工成為一體單件式晶舟。由於石墨
是多孔性物質，必須於其表面塗覆一層厚度約100um 的CVD-SiC薄膜，方可避
免石墨表面直接曝露於各種半導體製程造成細微粒(particle)的問題。
但是在CVD-SiC塗層之後，晶舟表面的所有區域的SiC薄膜的厚度是不容易控制。
由於石墨體和SiC薄膜之間的CTE（熱膨脹係數）不匹配，SiC薄膜通常在幾次升
降溫使用後容易剝落。再者，由於自動化運輸過程中的碰撞，SiC薄膜也容易破
裂。 一旦SiC薄膜剝落，石墨將暴露於環境中，腐蝕性氣體或液體進入多孔性的
石墨體後，不易清除乾淨，從而導致高溫製程中有細微粒 (particle)產生之意外
結果發生。
這種塗有CVD-SiC薄膜的石墨舟最便宜，壽命最短，約1年。
B）用CVD-SiC薄膜塗覆的重結晶SiC晶舟
重結晶SiC晶舟通常是將幾個單元部件先預先形成、燒結，然後分別加工，之後將
各個單元部件在高溫下以Si膏接合，接合成一晶舟之後再CVD塗覆SiC薄膜。由於
重結晶SiC是多孔的，因此可以在高溫下利用Si膏接合（膠合）。如果沒有CVD塗
覆SiC薄膜，則多孔重結晶SiC會在各種半導體製程中引起細微粒(particle)問題。
因此，塗覆有CVD-SiC薄膜的重結晶SiC的成本非常昂貴。此外，接合區域的Si膏
無法承受與SiC材料一樣高的溫度。此外，一旦晶舟發生碰撞造成塗覆的SiC薄膜
剝離，多孔的重結晶SiC將在各種半導體製程中引起細微粒(particle)問題。這
種塗有CVD-SiC薄膜的重結晶SiC晶舟製造流程最長（將幾個單元部件先進行預成
型，燒結和機械加工，在高溫下用Si膏連接所有單元部件，然後用CVD-SiC塗層）
並且成本最高。比起石墨披覆CVD-SiC薄膜的晶舟，重結晶SiC與CVD-SiC薄膜無
CTE不匹配的問題。但是厚度約100um 的CVD-SiC薄膜，因酸洗與碰撞造成塗覆
的SiC薄膜剝離，其使用壽命時間亦不可能很長，約為2〜3年。
C）沒有CVD塗層的一體單件式SiC晶舟
若無CVD塗層的晶舟，其先決條件是表面必須是緻密性材料。緻密性的SiC材料有
兩種材質，無壓燒結SiC(SSiC）和反應燒結SiC（RBSC，也稱矽滲透SiC，
SiSiC）。無論是無壓燒結SiC（SSiC）和反應燒結SiC（RBSC）材料，都無法
像石英材料熔接各單元部件使成一體。然而，要將SiC從粉末成形並燒結成一體
單件式晶舟的近淨形狀並不容易，再者，SiC非常堅硬且不易加工，這會導致一
體單件式SiC晶舟加工成本極高。儘管RBSC比SSiC稍微容易形成近淨似形狀，但
RBSC仍然非常堅硬並且不易加工，這也導致極高的成本。另一方面，RBSC含
有10~15％的游離Si，無法承受與SSiC材料一樣高的溫度。並且，游離的Si很
容易被HF酸蝕刻，從而導致細微粒 (particle)問題。
D）Kallex SiC 組合式晶舟（不含CVD塗層）
我們的SiC晶舟的材料是無壓燒結SiC（SSiC），純度為99.675％。我們將各
單元部件先成形、燒結和研磨加工，然後利用SSiC螺絲和螺栓將它們組合在一
起並以SSiC插銷固定。我們計算總負載的重量並將其考慮在內，其裝載能力將
遠高於您的需求。我們的SiC晶舟的強度是不會成為問題的。
此外，無壓燒結SSiC沒有CVD薄膜剝落導致顆粒的問題，並且在嚴苛環境中，
例如高溫，腐蝕性和HF酸，可承受長期挑戰。我們保證我們的SiC組合式晶舟
的使用壽命超過5年。因此，比起各種SiC晶舟，我們相信我們的SiC組合式晶
舟是中最具成本效益的。
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